射基极击穿电压(Vebo):5V,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):100MHz,耗散功率(Pd):300mW,集射极击穿电压(Vceo):25V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.5V,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):1.5A
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 预售新品 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.5V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集电极电流(Ic) | 1.5A |