反向传输电容(Crss):900pF,导通电阻(RDS(on)):1.1mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):240nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):400W,耗散功率(Pd):6.2W,输入电容(Ciss):15350pF,输出电容(Coss):1430pF,连续漏极电流(Id):60A,连续漏极电流(Id):400A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 900pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 耗散功率(Pd) | 6.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 15350pF | |
| 输出电容(Coss) | 1430pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 连续漏极电流(Id) | 400A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.46/个 |
| 10+ | ¥5.33/个 |
| 30+ | ¥5.23/个 |
| 100+ | ¥5.14/个 |
| 102+ | ¥5.14/个 |
| 104+ | ¥5.14/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.088
3000 PCS/盘
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