上升时间(tr):30ns,下降时间(tf):30ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:4.75V~20V,拉电流(IOH):6A,灌电流(IOL):6A,特性:过热保护,负载类型:MOSFET,驱动配置:半桥
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 30ns | |
下降时间(tf) | 30ns | |
工作温度 | -40℃~+125℃ | |
工作电压 | 4.75V~20V | |
拉电流(IOH) | 6A | |
灌电流(IOL) | 6A | |
特性 | 过热保护 | |
负载类型 | MOSFET | |
驱动配置 | 半桥 |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥24.24/个 |
10+ | ¥20.78/个 |
30+ | ¥18.72/个 |
100+ | ¥16.64/个 |
500+ | ¥15.68/个 |
1000+ | ¥15.24/个 |
整盘
单价
整盘单价¥14.0208
2500 PCS/盘
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