反向传输电容(Crss):115pF@25V,导通电阻(RDS(on)):14.1mΩ@10V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):33nC@10V,漏源电压(Vdss):75V,耗散功率(Pd):38W,输入电容(Ciss):2520pF@25V,连续漏极电流(Id):31A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@650uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 115pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 14.1mΩ@10V | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 75V | |
耗散功率(Pd) | 38W | |
输入电容(Ciss) | 2520pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 31A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@650uA |