CMTI(kV/us):20kV/us,上升时间(tr):13ns,下降时间(tf):13ns,传播延迟 tpHL:103ns,传播延迟 tpLH:83ns,峰值输出电流:2.5A,工作温度:-40℃~+100℃,正向压降(Vf):1.38V,正向电流(If):25mA,直流反向耐压(Vr):5V,耗散功率(Pd):295mW,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,隔离电压(Vrms):5000V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动光耦 | |
| CMTI(kV/us) | 20kV/us | |
| 上升时间(tr) | 13ns | |
| 下降时间(tf) | 13ns | |
| 传播延迟 tpHL | 103ns | |
| 传播延迟 tpLH | 83ns | |
| 峰值输出电流 | 2.5A | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 正向压降(Vf) | 1.38V | |
| 正向电流(If) | 25mA | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 耗散功率(Pd) | 295mW | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 隔离电压(Vrms) | 5000V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.64/个 |
| 10+ | ¥4.6/个 |
| 30+ | ¥4.08/个 |
| 100+ | ¥3.56/个 |
| 500+ | ¥3.25/个 |
| 1000+ | ¥3.09/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.8428
1000 PCS/盘
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