反向传输电容(Crss):3.2pF,导通电阻(RDS(on)):0.5Ω@0V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):11.3nC,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):543.3pF,输出电容(Coss):96.5pF,连续漏极电流(Id):1A,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.5Ω@0V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 543.3pF | |
| 输出电容(Coss) | 96.5pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.456/个 |
| 10+ | ¥3.601/个 |
| 30+ | ¥3.173/个 |
| 100+ | ¥2.755/个 |
| 500+ | ¥2.499/个 |
| 1000+ | ¥2.366/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.205
3000 PCS/盘
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