温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
VBM16R02
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBM16R02
- 商品编号
- C42412714
- 商品封装
- TO-220AB
- 商品毛重
- 0.0024千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):8.6pF,导通电阻(RDS(on)):4.4Ω@10V,栅极电荷量(Qg):18nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):42W,输入电容(Ciss):350pF,输出电容(Coss):48pF,连续漏极电流(Id):1.3A
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4Ω@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 输出电容(Coss) | 48pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
1.69 / PCS库存总量
0 PCS相似推荐
电话
顶部
元器件购物车