CMTI(kV/us):40kV/us,上升时间(tr):20ns,下降时间(tf):15ns,传播延迟 tpHL:110ns,传播延迟 tpLH:110ns,峰值输出电流:5A,工作温度:-40℃~+110℃,正向压降(Vf):1.9V,正向电流(If):20mA,直流反向耐压(Vr):5V,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,通道数:1,隔离电压(Vrms):5kV,驱动侧工作电压:30V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动光耦 | |
| CMTI(kV/us) | 40kV/us | |
| 上升时间(tr) | 20ns | |
| 下降时间(tf) | 15ns | |
| 传播延迟 tpHL | 110ns | |
| 传播延迟 tpLH | 110ns | |
| 峰值输出电流 | 5A | |
| 工作温度 | -40℃~+110℃ | |
| 正向压降(Vf) | 1.9V | |
| 正向电流(If) | 20mA | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 通道数 | 1 | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| 驱动侧工作电压 | 30V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.717/个 |
| 10+ | ¥3.006/个 |
| 30+ | ¥2.655/个 |
| 100+ | ¥2.304/个 |
| 500+ | ¥2.097/个 |
| 1000+ | ¥1.989/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.924
3000 PCS/盘
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