上升时间(tr):60us@10mA,100Ω,下降时间:53us@10mA,100Ω,工作温度:-30℃~+100℃,总功耗(Pd):200mW,正向压降(Vf):1.2V,正向电流(If):50mA,电流传输比(CTR)最大值/饱和值:2000%,电流传输比(CTR)最小值:200%,直流反向耐压(Vr):6V,负载电压:40V,输入类型:DC,输出电流:-,输出类型:达林顿晶体管,输出通道数:-,隔离电压(Vrms):5.3kV,集射极饱和电压(VCE(sat)):1V@2mA,1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 光耦-光电晶体管输出 | |
上升时间(tr) | 60us@10mA,100Ω | |
下降时间 | 53us@10mA,100Ω | |
工作温度 | -30℃~+100℃ | |
总功耗(Pd) | 200mW | |
正向压降(Vf) | 1.2V | |
正向电流(If) | 50mA | |
电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 2000% | |
电流传输比(CTR)最小值 | 200% | |
直流反向耐压(Vr) | 6V | |
负载电压 | 40V | |
输入类型 | DC | |
输出电流 | - | |
输出类型 | 达林顿晶体管 | |
输出通道数 | - | |
隔离电压(Vrms) | 5.3kV | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V@2mA,1mA |