上升时间(tr):40ns,下降时间(tf):15ns,传播延迟 tpHL:120ns,传播延迟 tpLH:150ns,功能特性:内置自举二极管,功能特性:交错导通保护,功能特性:死区时间控制,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:5V~20V,拉电流(IOH):1A,灌电流(IOL):1.5A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0.8V,输入高电平(VIH):2.5V,静态电流(Iq):700uA,驱动通道数:-,驱动配置:三相
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 40ns | |
| 下降时间(tf) | 15ns | |
| 传播延迟 tpHL | 120ns | |
| 传播延迟 tpLH | 150ns | |
| 功能特性 | 内置自举二极管 | |
| 功能特性 | 交错导通保护 | |
| 功能特性 | 死区时间控制 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 拉电流(IOH) | 1A | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 静态电流(Iq) | 700uA | |
| 驱动通道数 | - | |
| 驱动配置 | 三相 |