250V集成BSD三相桥高同相低反相栅极驱动芯片实物图
250V集成BSD三相桥高同相低反相栅极驱动芯片缩略图
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250V集成BSD三相桥高同相低反相栅极驱动芯片

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品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
厂家型号
SD6287Q
商品编号
C44606225
商品封装
QFN-24(4x4)
商品毛重
0.000125千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
-

商品参数

上升时间(tr):40ns,下降时间(tf):15ns,传播延迟 tpHL:120ns,传播延迟 tpLH:150ns,功能特性:内置自举二极管,功能特性:交错导通保护,功能特性:死区时间控制,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:5V~20V,拉电流(IOH):1A,灌电流(IOL):1.5A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0.8V,输入高电平(VIH):2.5V,静态电流(Iq):700uA,驱动通道数:-,驱动配置:三相

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属性参数值其他
商品目录栅极驱动芯片
上升时间(tr)40ns
下降时间(tf)15ns
传播延迟 tpHL120ns
传播延迟 tpLH150ns
功能特性内置自举二极管
功能特性交错导通保护
功能特性死区时间控制
工作温度-40℃~+125℃
工作电压5V~20V
拉电流(IOH)1A
灌电流(IOL)1.5A
特性欠压保护(UVP)
负载类型MOSFET
输入低电平(VIL)0.8V
输入高电平(VIH)2.5V
静态电流(Iq)700uA
驱动通道数-
驱动配置三相

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