上升时间(tr):20ns,下降时间(tf):30ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:10V~20V,拉电流(IOH):350mA,灌电流(IOL):650mA,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 20ns | |
下降时间(tf) | 30ns | |
工作温度 | -40℃~+125℃ | |
工作电压 | 10V~20V | |
拉电流(IOH) | 350mA | |
灌电流(IOL) | 650mA | |
负载类型 | IGBT | |
负载类型 | MOSFET | |
驱动通道数 | 2 | |
驱动配置 | 半桥 |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥7.01/个 |
10+ | ¥6.84/个 |
30+ | ¥6.74/个 |
100+ | ¥6.63/个 |
102+ | ¥6.63/个 |
104+ | ¥6.63/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.0996
3000 PCS/盘
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