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N沟道MOSFET
扩展库- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 厂家型号
- BNT15N10
- 商品编号
- C48533911
- 商品封装
- TO-252-2
- 商品毛重
- 0.000463千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):88mΩ@10V,栅极电荷量(Qg):24nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):34.5W,输入电容(Ciss):890pF,输出电容(Coss):60pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 34.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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