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P沟道MOSFET具备低栅极电荷和低导通电阻
扩展库- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 厂家型号
- DOW8P02
- 商品编号
- C49441951
- 商品封装
- SOT-89
- 商品毛重
- 0.000143千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):167pF,导通电阻(RDS(on)):15mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):33.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.8W,输入电容(Ciss):1199pF,输出电容(Coss):190pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):0.7V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 167pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 1199pF | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
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| 1000+ | ¥0.194/个 |
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| 10000+ | ¥0.165/个 |
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