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650V 50A
扩展库- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 厂家型号
- JNG25T65FS1
- 商品编号
- C51484250
- 商品封装
- TO-220F
- 商品毛重
- 0.0022千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
关断延迟时间(Td(off)):75ns,关断损耗(Eoff):0.49mJ,反向传输电容(Cres):8pF,反向恢复时间(Trr):60ns,导通损耗(Eon):0.66mJ,开启延迟时间(Td(on)):22ns,栅极阈值电压(Vge(th)):5.1V@250uA,耗散功率(Pd):41.7W,输入电容(Cies):978pF,输出电容(Coes):90pF,集射极击穿电压(Vces):650V,集射极饱和电压(VCE(sat)):2.7V@25A,15V,集电极电流(Ic):50A
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 75ns | |
| 关断损耗(Eoff) | 0.49mJ | |
| 反向传输电容(Cres) | 8pF | |
| 反向恢复时间(Trr) | 60ns | |
| 导通损耗(Eon) | 0.66mJ | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 22ns | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@250uA | |
| 耗散功率(Pd) | 41.7W | |
| 输入电容(Cies) | 978pF | |
| 输出电容(Coes) | 90pF | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.7V@25A,15V | |
| 集电极电流(Ic) | 50A |
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