射基极击穿电压(Vebo):5V,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):100MHz,直流电流增益(hFE):250,耗散功率(Pd):1.5W,集射极击穿电压(Vceo):80V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.5V,集电极截止电流(Icbo):0.1uA,集电极电流(Ic):1A
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 250 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.5V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 0.1uA | |
| 集电极电流(Ic) | 1A |