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BSC196N10NS G
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- BSC196N10NS G
- 商品编号
- C534424
- 商品封装
- TDSON-8-EP(5x6)
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):19.6mΩ@10V,45A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):78W,连续漏极电流(Id):45A,阈值电压(Vgs(th)):4V@42uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.6mΩ@10V,45A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@42uA |
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