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IPB081N06L3 G
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPB081N06L3 G
- 商品编号
- C536521
- 商品封装
- TO-263-3
- 商品毛重
- 0.0017千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):8.1mΩ@10V,84A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.1mΩ@10V,84A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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