反向传输电容(Crss):100pF,导通电阻(RDS(on)):12mΩ@10V,33A,工作温度:-40℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):107nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):330W,输入电容(Ciss):4530pF,连续漏极电流(Id):83A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 100pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,33A | |
工作温度 | -40℃~+175℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 107nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
耗散功率(Pd) | 330W | |
输入电容(Ciss) | 4530pF | |
连续漏极电流(Id) | 83A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |