反向传输电容(Crss):320pF,导通电阻(RDS(on)):0.009Ω@10V,78A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):100nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):200W,输入电容(Ciss):5330pF,连续漏极电流(Id):130A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 320pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.009Ω@10V,78A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 100nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
耗散功率(Pd) | 200W | |
输入电容(Ciss) | 5330pF | |
连续漏极电流(Id) | 130A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |