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PDTB114EUX
扩展库- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 厂家型号
- PDTB114EUX
- 商品编号
- C552131
- 商品封装
- SOT-323
- 商品毛重
- 0.000023千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
射基极击穿电压(Vebo):10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个PNP-预偏置,晶体管类型:PNP,最大输入电压(VI(off)):600mV,最小输入电压(VI(on)):1V,特征频率(fT):140MHz,电阻比率:1,直流电流增益(hFE):70,耗散功率(Pd):425mW,输入电阻:10kΩ,集射极击穿电压(Vceo):50V,集射极饱和电压(VCE(sat)):100mV,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):500mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 600mV | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1V | |
| 特征频率(fT) | 140MHz | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 直流电流增益(hFE) | 70 | |
| 耗散功率(Pd) | 425mW | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 100mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
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