CMTI(kV/us):35kV/us,传播延迟 tpHL:200ns,传播延迟 tpLH:200ns,峰值输出电流:1A,工作温度:-40℃~+105℃,耗散功率(Pd):745mW,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,通道数:1,隔离电压(Vrms):5000V,驱动侧工作电压:15V~30V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
CMTI(kV/us) | 35kV/us | |
传播延迟 tpHL | 200ns | |
传播延迟 tpLH | 200ns | |
峰值输出电流 | 1A | |
工作温度 | -40℃~+105℃ | |
耗散功率(Pd) | 745mW | |
负载类型 | IGBT | |
负载类型 | MOSFET | |
通道数 | 1 | |
隔离电压(Vrms) | 5000V | |
驱动侧工作电压 | 15V~30V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥5.65/个 |
10+ | ¥4.55/个 |
30+ | ¥4.01/个 |
100+ | ¥3.297/个 |
500+ | ¥2.869/个 |
1000+ | ¥2.708/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.68
1000 PCS/盘
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