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PJP60R190E_T0_00001
扩展库- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 厂家型号
- PJP60R190E_T0_00001
- 商品编号
- C6252062
- 商品封装
- TO-220AB
- 商品毛重
- 0.002718千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):196mΩ@10V,10A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):62nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):231W,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):1421pF@25V,连续漏极电流(Id):20A,连续漏极电流(Id):2.1A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 196mΩ@10V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 231W | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 1421pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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