导通电阻(RDS(on)):18mΩ@10V,50A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):360nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):797W,输入电容(Ciss):15000pF@30V,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):3.7V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,50A | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 360nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
耗散功率(Pd) | 797W | |
输入电容(Ciss) | 15000pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 100A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V |