半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器实物图
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半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器

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品牌名称
ADI(亚德诺)
厂家型号
LT1158ISW#TRPBF
商品编号
C662899
商品封装
SO-16-300mil
商品毛重
0.001千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

上升时间(tr):130ns,下降时间(tf):120ns,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:5V~30V,拉电流(IOH):500mA,灌电流(IOL):500mA,特性:过压保护(OVP),特性:过流保护(OCP),负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,驱动配置:半桥

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属性参数值其他
商品目录栅极驱动IC
上升时间(tr)130ns
下降时间(tf)120ns
工作温度-40℃~+85℃
工作电压5V~30V
拉电流(IOH)500mA
灌电流(IOL)500mA
特性过压保护(OVP)
特性过流保护(OCP)
负载类型MOSFET
驱动通道数2
驱动配置半桥

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阶梯价格(含税价)

梯度售价
1+¥70.93/个
10+¥60.5/个
30+¥54.15/个
100+¥48.332/个
102+¥48.332/个
104+¥48.332/个

嘉立创SMT补贴

整盘

单价

整盘单价¥47.912

1000 PCS/盘

嘉立创补贴0.87%

一盘能省掉420

换料费券¥300

库存总量

85 PCS
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