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SI3430DV-T1-GE3-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- SI3430DV-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C6705311
- 商品封装
- TSOP-6
- 商品毛重
- 0.000048千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):42pF,导通电阻(RDS(on)):0.095Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电压(Vgs):±20V,栅极电荷量(Qg):4.2nC,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.3W,输入电容(Ciss):424pF,输出电容(Coss):100pF,连续漏极电流(Id):3.2A,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.095Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 424pF | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.978/个 |
| 50+ | ¥0.858/个 |
| 150+ | ¥0.807/个 |
| 500+ | ¥0.743/个 |
| 3000+ | ¥0.657/个 |
| 6000+ | ¥0.64/个 |
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单价
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