高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器实物图
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高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器

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品牌名称
ADI(亚德诺)
厂家型号
LTC4446EMS8E#PBF
商品编号
C688589
商品封装
MSOP-8-EP
商品毛重
0.001千克(kg)
包装方式
管装
ECCN
EAR99

商品参数

上升时间(tr):8ns,下降时间(tf):5ns,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:7.2V~13.5V,拉电流(IOH):2.5A,灌电流(IOL):3A,特性:-,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,驱动配置:半桥

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属性参数值其他
商品目录栅极驱动IC
上升时间(tr)8ns
下降时间(tf)5ns
工作温度-40℃~+85℃
工作电压7.2V~13.5V
拉电流(IOH)2.5A
灌电流(IOL)3A
特性-
负载类型MOSFET
驱动通道数2
驱动配置半桥

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阶梯价格(含税价)

梯度售价
1+¥50.98/个
10+¥49.87/个
30+¥49.12/个
100+¥41.607/个
500+¥41.607/个
1000+¥41.607/个

嘉立创SMT补贴

整盘

单价

整盘单价¥45.1904

50 PCS/盘

嘉立创补贴8%

一盘能省掉196.48

换料费券¥300

库存总量

6 PCS
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