导通电阻(RDS(on)):1Ω@0V,工作温度:-55℃~+125℃,数量:1个N沟道,栅极电压(Vgs):±15V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.1W,连续漏极电流(Id):600mA,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@0V | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±15V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |