CMTI(kV/us):15kV/us,传播延迟 tpHL:0.5us,传播延迟 tpLH:0.5us,峰值输出电流:5A,工作温度:-40℃~+100℃,耗散功率(Pd):850mW,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,通道数:1,隔离电压(Vrms):5000V,驱动侧工作电压:15V~30V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 光耦-光电晶体管输出 | |
CMTI(kV/us) | 15kV/us | |
传播延迟 tpHL | 0.5us | |
传播延迟 tpLH | 0.5us | |
峰值输出电流 | 5A | |
工作温度 | -40℃~+100℃ | |
耗散功率(Pd) | 850mW | |
负载类型 | IGBT | |
负载类型 | MOSFET | |
通道数 | 1 | |
隔离电压(Vrms) | 5000V | |
驱动侧工作电压 | 15V~30V |