上升时间(tr):20ns,下降时间(tf):24ns,工作温度:-40℃~+150℃@(Tj),工作电压:4.5V~18V,拉电流(IOH):9A,灌电流(IOL):9A,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,驱动通道数:1,驱动配置:低边
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 20ns | |
下降时间(tf) | 24ns | |
工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
工作电压 | 4.5V~18V | |
拉电流(IOH) | 9A | |
灌电流(IOL) | 9A | |
负载类型 | MOSFET | |
负载类型 | IGBT | |
驱动通道数 | 1 | |
驱动配置 | 低边 |