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PJP4NA65H_T0_00001
扩展库- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 厂家型号
- PJP4NA65H_T0_00001
- 商品编号
- C7026793
- 商品封装
- TO-220AB
- 商品毛重
- 0.002718千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):3.75Ω@10V,1.5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16.1nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):44W,输入电容(Ciss):423pF@25V,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.75Ω@10V,1.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.1nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 输入电容(Ciss) | 423pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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