反向传输电容(Crss):10pF@15V,导通电阻(RDS(on)):0.074Ω@10V,4.1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):5.1nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):450pF@15V,连续漏极电流(Id):5.1A,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.074Ω@10V,4.1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |