反向传输电容(Crss):8.3pF@100V,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,10A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):5W,耗散功率(Pd):52W,输入电容(Ciss):1110pF@100V,连续漏极电流(Id):5.7A,连续漏极电流(Id):18.6A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 8.3pF@100V | |
导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,10A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
耗散功率(Pd) | 5W | |
耗散功率(Pd) | 52W | |
输入电容(Ciss) | 1110pF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
连续漏极电流(Id) | 18.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |