反向传输电容(Crss):8.3pF,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):5W,耗散功率(Pd):52W,输入电容(Ciss):1110pF,连续漏极电流(Id):5.7A,连续漏极电流(Id):18.6A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 输入电容(Ciss) | 1110pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥11.89/个 |
| 10+ | ¥10.11/个 |
| 30+ | ¥9/个 |
| 100+ | ¥7.86/个 |
| 500+ | ¥7.34/个 |
| 1000+ | ¥7.12/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.5504
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉1708.8元