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FDN86265P
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDN86265P
- 商品编号
- C891119
- 商品封装
- SOT-23-3
- 商品毛重
- 0.000035千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):1.2Ω@10V,800mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):4.1nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):210pF@75V,连续漏极电流(Id):800mA,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,800mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF@75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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