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NTBG160N120SC1
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTBG160N120SC1
- 商品编号
- C898804
- 商品封装
- TO-263-7
- 商品毛重
- 0.00179千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):5.87pF@800V,反向传输电容(Crss):5.87pF,导通电阻(RDS(on)):160mΩ@20V,12A,导通电阻(RDS(on)):224mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,栅极电荷量(Qg):33.8nC,漏源电压(Vdss):1200V,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):136W,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):678pF,输入电容(Ciss):678pF,输出电容(Coss):50.7pF,连续漏极电流(Id):19.5A,连续漏极电流(Id):19.5A,阈值电压(Vgs(th)):-,阈值电压(Vgs(th)):4.3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.87pF@800V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.87pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@20V,12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 224mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.8nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 输入电容(Ciss) | 678pF | |
| 输入电容(Ciss) | 678pF | |
| 输出电容(Coss) | 50.7pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.5A | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
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