上升时间(tr):5us,下降时间:5us,工作温度:-40℃~+100℃,总功耗(Pd):420mW,正向压降(Vf):1.15V,正向电流(If):80mA,电流传输比(CTR)最大值/饱和值:-,电流传输比(CTR)最小值:20%,直流反向耐压(Vr):6V,负载电压:80V,输入类型:DC,输出电流:100mA,输出类型:光电三极管,输出通道数:-,隔离电压(Vrms):4170V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1V@20mA,4mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 光耦-光电晶体管输出 | |
上升时间(tr) | 5us | |
下降时间 | 5us | |
工作温度 | -40℃~+100℃ | |
总功耗(Pd) | 420mW | |
正向压降(Vf) | 1.15V | |
正向电流(If) | 80mA | |
电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | - | |
电流传输比(CTR)最小值 | 20% | |
直流反向耐压(Vr) | 6V | |
负载电压 | 80V | |
输入类型 | DC | |
输出电流 | 100mA | |
输出类型 | 光电三极管 | |
输出通道数 | - | |
隔离电压(Vrms) | 4170V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V@20mA,4mA |