温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMFS4C302NT1G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NVMFS4C302NT1G
- 商品编号
- C900413
- 商品封装
- SO-8-FL-5.8mm
- 商品毛重
- 0.000171千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):70pF,导通电阻(RDS(on)):0.95mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):37nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):115W,输入电容(Ciss):5.78nF,连续漏极电流(Id):241A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.95mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 输入电容(Ciss) | 5.78nF | |
| 连续漏极电流(Id) | 241A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
8.43 / PCS库存总量
0 PCS相似推荐
电话
顶部
元器件购物车