漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):326W,连续漏极电流(Id):66A
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 326W | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥62.2/个 |
| 10+ | ¥54.13/个 |
| 30+ | ¥49.21/个 |
| 90+ | ¥45.08/个 |
| 92+ | ¥45.08/个 |
| 94+ | ¥45.08/个 |
整盘
单价
整盘单价¥45.2732
30 PCS/盘
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