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FDP083N15A-F102
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDP083N15A-F102
- 商品编号
- C128791
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.00216千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):8.3mΩ@10V,75A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):84nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):294W,输入电容(Ciss):6040pF,输出电容(Coss):1880pF,连续漏极电流(Id):117A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V,75A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 294W | |
| 输入电容(Ciss) | 6040pF | |
| 输出电容(Coss) | 1880pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 117A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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