反向传输电容(Crss):260pF,导通电阻(RDS(on)):4.8mΩ@10V,24A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):115nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,类型:-,耗散功率(Pd):313W,输入电容(Ciss):9300pF,输出电容(Coss):650pF,连续漏极电流(Id):160A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V,24A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 313W | |
| 输入电容(Ciss) | 9300pF | |
| 输出电容(Coss) | 650pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.96/个 |
| 10+ | ¥2.765/个 |
| 50+ | ¥2.0488/个 |
| 100+ | ¥1.784/个 |
| 500+ | ¥1.622/个 |
| 1000+ | ¥1.539/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.0488
50 PCS/盘