反向传输电容(Crss):9.4pF,导通电阻(RDS(on)):4.5Ω@10V,4A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):28nC@10V,漏源电压(Vdss):-,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1042pF,输出电容(Coss):112pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):0.85V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V,4A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | - | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 1042pF | |
输出电容(Coss) | 112pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.85V@250uA |