反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.36Ω@10V,2.7A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:-,耗散功率(Pd):41W,输入电容(Ciss):555pF,输出电容(Coss):10pF,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):4V@0.14mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.36Ω@10V,2.7A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 41W | |
输入电容(Ciss) | 555pF | |
输出电容(Coss) | 10pF | |
连续漏极电流(Id) | 9A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.14mA |