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FDP10AN06A0-JSM
扩展库- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 厂家型号
- FDP10AN06A0-JSM
- 商品编号
- C18187635
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.002718千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.006Ω@10V,60A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):115nC@15V,漏源电压(Vdss):60V,类型:-,耗散功率(Pd):358W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):1016pF,连续漏极电流(Id):110A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.006Ω@10V,60A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@15V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 358W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | 1016pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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