反向传输电容(Crss):210pF,导通电阻(RDS(on)):6.5mΩ@10V,75A,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):138nC@10V,漏源电压(Vdss):75V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):300W,输入电容(Ciss):6800pF,输出电容(Coss):780pF,连续漏极电流(Id):148A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,75A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 138nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 输入电容(Ciss) | 6800pF | |
| 输出电容(Coss) | 780pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 148A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |