反向传输电容(Crss):107.1pF,导通电阻(RDS(on)):5.6mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):63.7nC@10V,漏源电压(Vdss):85V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):158W,输入电容(Ciss):4553pF,输出电容(Coss):1215pF,连续漏极电流(Id):65A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 107.1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63.7nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 158W | |
| 输入电容(Ciss) | 4553pF | |
| 输出电容(Coss) | 1215pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.02/个 |
| 10+ | ¥3.24/个 |
| 50+ | ¥2.85/个 |
| 100+ | ¥2.46/个 |
| 500+ | ¥2.23/个 |
| 1000+ | ¥2.11/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.622
50 PCS/盘
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