反向传输电容(Crss):42pF,导通电阻(RDS(on)):18.7mΩ@4.5V,25A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):55nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):58W,输入电容(Ciss):3770pF,输出电容(Coss):1090pF,连续漏极电流(Id):45A,阈值电压(Vgs(th)):2V@85uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 42pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 18.7mΩ@4.5V,25A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 58W | |
输入电容(Ciss) | 3770pF | |
输出电容(Coss) | 1090pF | |
连续漏极电流(Id) | 45A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@85uA |