反向传输电容(Crss):8pF@25V,导通电阻(RDS(on)):1.35Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5.2nC,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):45W,输入电容(Ciss):310pF,输出电容(Coss):45pF,连续漏极电流(Id):3.8A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 8pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 5.2nC | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 45W | |
输入电容(Ciss) | 310pF | |
输出电容(Coss) | 45pF | |
连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |