FQP4N20L实物图
FQP4N20L缩略图
FQP4N20L缩略图
FQP4N20L缩略图
温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

FQP4N20L

扩展库
品牌名称
onsemi(安森美)
厂家型号
FQP4N20L
商品编号
C243091
商品封装
TO-220
商品毛重
0.00268千克(kg)
包装方式
管装
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):8pF@25V,导通电阻(RDS(on)):1.35Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5.2nC,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):45W,输入电容(Ciss):310pF,输出电容(Coss):45pF,连续漏极电流(Id):3.8A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA

找到类似商品:0查看类似商品
属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)8pF@25V
导通电阻(RDS(on))1.35Ω@10V
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)5.2nC
漏源电压(Vdss)200V
类型N沟道
耗散功率(Pd)45W
输入电容(Ciss)310pF
输出电容(Coss)45pF
连续漏极电流(Id)3.8A
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA

数据手册PDF

放大查看

无法嵌入内容,点击此处查看

预订参考价

1.836 / PCS

库存总量

0 PCS
电话
顶部
元器件购物车