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NDP6020P
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NDP6020P
- 商品编号
- C68561
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.00216千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):215pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ@4.5V,12A,工作温度:-65℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):35nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):1590pF@10V,连续漏极电流(Id):24A,阈值电压(Vgs(th)):0.7V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V,12A | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 输入电容(Ciss) | 1590pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V |
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