反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.53Ω@10V,10A,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):19.8nC@10V,漏源电压(Vdss):700V,类型:-,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1038pF,输出电容(Coss):68pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):4.1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.53Ω@10V,10A | |
工作温度 | - | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 19.8nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 1038pF | |
输出电容(Coss) | 68pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.1V@250uA |