反向传输电容(Crss):350pF,导通电阻(RDS(on)):2.6mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):152nC@10V,漏源电压(Vdss):85V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):275W,输入电容(Ciss):11000pF,输出电容(Coss):3500pF,连续漏极电流(Id):247A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 152nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 275W | |
| 输入电容(Ciss) | 11000pF | |
| 输出电容(Coss) | 3500pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 247A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥8.06/个 |
| 10+ | ¥6.67/个 |
| 50+ | ¥5.9/个 |
| 100+ | ¥5.04/个 |
| 500+ | ¥4.65/个 |
| 1000+ | ¥4.48/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.428
50 PCS/盘
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