导通电阻(RDS(on)):70mΩ@10V,10A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):31.3W,连续漏极电流(Id):16A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |